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FDD6N20TM中文资料

FDD6N20TM图片

FDD6N20TM外观图

  • 大小:712KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:UniFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:800 毫欧 @ 2.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:6.1nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:230pF @ 25V
  • 功率 - 最大:40W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:D-Pak
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:FDD6N20TM-ND

FDD6N20TM供应商

更新时间:2023-02-07 17:36:15
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